Impact of Random Telegraph Noise (RTN) on Write Stability in Silicon-on-thin-BOX (SOTB) SRAM Cells in Sub-0.4V Regime
Impact of Random Telegraph Noise (RTN) on Write Stability in Silicon-on-thin-BOX (SOTB) SRAM Cells in Sub-0.4V Regime
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随机电报噪声 (RTN) 对低于 0.4V 体制下硅基薄盒 (SOTB) SRAM 单元写入稳定性的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hao Qiu;Tomoko Mizutani;Yoshiki Yamamoto;Hideki Makiyama;Tomohiro Yamashita;Hidekazu Oda;Shiro Kamohara;Nobuyuki Sugii;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;Toshiro Hiramoto
