Converse Magnetoelectric Effect in Epitaxial Co2MnSi/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Multiferroic Heterostructures
Converse Magnetoelectric Effect in Epitaxial Co2MnSi/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 Multiferroic Heterostructures
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DOI：
10.1109/tmag.2022.3145521
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发表时间：
2022-08-01
影响因子：
2.1
通讯作者：
Hamaya，Kohei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Usami，Takamasa;Fujii，Shumpei;Hamaya，Kohei
我们通过实验研究了由 Co2MnSi 和 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT) 组成的多铁异质结构中的应变介导的逆磁电 (CME) 效应。为了研究 CME 效应，通过分子束外延在不同的生长温度下在 PMN-PT(001) 上生长 Co2MnSi 薄膜。利用磁光克尔效应和应变测量，我们发现只有有序Co2MnSi/PMN-PT的剩磁状态是通过晶格应变的施加来调制的，而有序Co2MnSi/PMN-PT的剩磁状态对应变不敏感。我们得出的结论是，为了在 Co2MnSi/PMN-PT 多铁异质结构中获得有效的 CME 效应，需要形成有序结构。
We experimentally study a strain-meditated converse magnetoelectric (CME) effect in multiferroic heterostructures consisting of Co2MnSi and Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT). To investigate the CME effect, Co2MnSi films are grown on PMN-PT(001) at various growth temperatures by molecular beam epitaxy. Using magneto-optical Kerr-effect and strain measurements, we find that the remanent magnetization state only for the-ordered Co2MnSi/PMN-PT is modulated by the application of the lattice strain, while that for the-ordered Co2MnSi/PMN-PT is insensitive to the strain. We conclude that the formation of-ordered structure is needed to obtain an effective CME effect in the Co2MnSi/PMN-PT multiferroic heterostructure.