Physical characterization of Sn-doped In_2O_3 films in supercond- ucting fluctuation regime

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超导涨落态 Sn 掺杂 In_2O_3 薄膜的物理表征

DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
Proceedings of 6th International Symposium on Transparent Oxide Thin Films for Electronics and Optics TOEO-6
影响因子：
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通讯作者：
N.Mori
N.Mori
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
R.Tateno;K.Nansai;T.Satou;M.Senda;N.Mori

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