角谷正友 他 3名: "同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-"表面科学. 21. 142-147 (2000)
角谷正友 他 3名: "同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価-GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関-"表面科学. 21. 142-147 (2000)
复制标题
Masatomo Kakutani 等人 3：“通过同轴直接碰撞离子散射光谱法评估氮化物半导体的极性 - GaN 薄膜沉积工艺与生长方向之间的相关性”Surface Science 21. 142-147 (2000)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
