Investigation of the origin of the leakage of pn diodes on a freestanding GaN substrate using 3DAP and LACBED methods
Investigation of the origin of the leakage of pn diodes on a freestanding GaN substrate using 3DAP and LACBED methods
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使用 3DAP 和 LACBED 方法研究独立式 GaN 衬底上 pn 二极管漏电的根源
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Usami;Y. Sugawara;Y. Yao;Y. Ishikawa;N. Mayama;K. Toda;Y. Ando;A. Tanaka;K. Nagamatsu;M. Deki;M. Kushimoto;S. Nitta;Y. Honda;and H. Amano
