Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate
Reducing the Threshold Current Density of Deep UV LDs on AlN Substrate
复制标题
降低 AlN 基板上深紫外 LD 的阈值电流密度
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Maki Kushimoto;Ziyi Zhang;Yoshio Honda;Leo Schowalter;Chiaki Sasaoka;Hiroshi Amano
