TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性
TiO2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性
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使用TiO2-x外延薄膜的4端忆阻器元件的电阻变化特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
三宅亮太郎，藤平哲也，酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yamaguchi Kengo;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Ikarashi Nobuyuki;Sakai Akira;永田善也，藤平哲也，酒井朗;三宅亮太郎，藤平哲也，酒井朗
