HfN/HfONゲートスタック構造を用いたMISFETの作製
HfN/HfONゲートスタック構造を用いたMISFETの作製
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使用 HfN/HfON 栅极堆叠结构制造 MISFET
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐野貴洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mkoma;S. L.;and Kawamura;K.;佐野貴洋;佐野貴洋;佐野貴洋
