Crystal growth kinetics in (GaAs)n−(AlAs)m superlattices deposited by molecular beam epitaxy: I. Growth on singular (100)GaAs substrates
Crystal growth kinetics in (GaAs)n−(AlAs)m superlattices deposited by molecular beam epitaxy: I. Growth on singular (100)GaAs substrates
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分子束外延沉积的 (GaAs)n−(AlAs)m 超晶格中的晶体生长动力学：I. 在单一 (100)GaAs 衬底上的生长
DOI：
10.1016/0022-0248(78)90321-4
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发表时间：
1978
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Savage
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Petroff;A. Gossard;W. Wiegmann;A. Savage
