SOI 技術を用いた新型X線撮像分光器の開発48 : PDD 構造におけるリーク電流の原因特定とその解決手法
SOI 技術を用いた新型X線撮像分光器の開発48 : PDD 構造におけるリーク電流の原因特定とその解決手法
复制标题
采用SOI技术开发新型X射线成像光谱仪48：PDD结构漏电流原因识别及解决方法
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
森浩二他
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
行元雅貴;森浩二他
