Analysis of highly Si-doped GaN using various lattice vibration modes observed by infrared and Raman spectroscopy
Analysis of highly Si-doped GaN using various lattice vibration modes observed by infrared and Raman spectroscopy
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使用红外和拉曼光谱观察到的各种晶格振动模式分析高硅掺杂 GaN
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Fujioka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bei Ma;Ming Chuan Tang;Ken Morita;Yoshihiro Ishitani;Kohei Ueno;Atsushi Kobayashi;Hiroshi Fujioka
