Spike Timing Dependent Plasticity Characteristics of Tunnel FET based MONOS Memory for Low Power Neural Network Circuits
Spike Timing Dependent Plasticity Characteristics of Tunnel FET based MONOS Memory for Low Power Neural Network Circuits
复制标题
用于低功耗神经网络电路的基于隧道 FET MONOS 存储器的尖峰时序相关可塑性特性
DOI：
10.7567/ssdm.2019.ps-2-01
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Kino;T. Fukushima;T. Tanaka
