Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs

Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs
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使用超薄硅通道 MOSFET 实现极致缩放

DOI：
10.1109/iedm.2002.1175829
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发表时间：
2002
期刊：
Digest. International Electron Devices Meeting,
影响因子：
--
通讯作者：
Wilfried Haensch
Wilfried Haensch
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
Bruce B. Doris;M. Ieong;T. Kanarsky;Ying Zhang;R. Roy;O. Dokumaci;Z. Ren;F. Jamin;L. Shi;W. Natzle;Hsiang;J. Mezzapelle;A. Mocuta;S. Womack;Michael A. Gribelyuk;E. C. Jones;R. J. Miller;Hon;Wilfried Haensch

文献摘要

被引文献

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我们使用超薄硅沟道MOSFET研究平面单栅技术的缩放限制。极端规模的物理栅极长度低至6纳米和SOI沟道薄至4纳米的器件的特性。我们首次报道了具有26 nm栅极长度和超薄Si沟道的环形振荡器。
We examine the scaling limits for planar single gate technology using the ultra-thin Si channel MOSFET. Characteristics for extreme scaled devices with physical gate lengths down to 6 nm and SOI channels as thin as 4 nm are presented. For the first time, we report ring oscillators with 26 nm gate lengths and ultra-thin Si channels.