Realization of conductive AlN buffer layer using spontaneous nano-size via-holes and its application to vertical AlGaN devices on Si substrate
Realization of conductive AlN buffer layer using spontaneous nano-size via-holes and its application to vertical AlGaN devices on Si substrate
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利用自发纳米尺寸通孔实现导电AlN缓冲层及其在Si衬底上垂直AlGaN器件中的应用
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Kurose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiki Kuzume;GeQi Qi;Lin Zhenglong;Jiajia Yang;Hiroaki Shigemasu;Hiroshi Kadota;Kiyoshi Nakahara;Jinglong Wu;鹿田真一;N. Kurose
