Characterisation of a counting imaging detector for electron detection in the energy range 10-20keV
Characterisation of a counting imaging detector for electron detection in the energy range 10-20keV
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用于 10-20keV 能量范围内电子检测的计数成像探测器的表征
DOI：
10.1016/j.nima.2012.03.033
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Moldovan G
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Moldovan G
作为一个可行性研究的一部分，到使用新的电子探测器的X射线光电子发射显微镜（XPEEM）和相关方法，我们的特点是一个计数Medipix 2读出芯片凸块键合到硅二极管阵列传感器的成像性能，并直接暴露于电子的能量范围为10- 20 keV。给出了探测量子效率（DQE）、调制传递函数（MTF）和噪声功率谱（SNR），并对能量为20 keV的电子给出了很好的性能。对于能量为15 keV或更低的电子，观察到DQE的显著降低，对于10 keV的电子，下降到20%的水平。
As part of a feasibility study into the use of novel electron detector for X-ray photoelectron emission microscopes (XPEEM) and related methods, we have characterised the imaging performance of a counting Medipix 2 readout chip bump bonded to a Silicon diode array sensor and directly exposed to electrons in the energy range 10–20keV. Detective Quantum Efficiency (DQE), Modulation Transfer Function (MTF) and Noise Power Spectra (NPS) are presented, demonstrating very good performance for the case of electrons with an energy of 20keV. Significant reductions in DQE are observed for electrons with energy of 15keV and less, down to levels of 20% for electrons of 10keV.