トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減
トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減
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通过引入隧道状空隙降低 Si 上 Ge 层中的穿透位错密度
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
和田 一実
中科院分区：
文献类型：
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作者：
八子 基樹;石川 靖彦;和田 一実
