Comparative study between Si(110)and(100)substrates on mobility and velocity enhancements for short-channel highly-strained PFETs
Comparative study between Si(110)and(100)substrates on mobility and velocity enhancements for short-channel highly-strained PFETs
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Si(110) 和 (100) 衬底对短沟道高应变 PFET 迁移率和速度增强的比较研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Satoru Mayuzumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
正木了;他7名;Satoru Mayuzumi
