The Effect of Oxygen Impurity on Lattice Constants in GaN Crystals Grown on Point Seeds by the Na-flux method
The Effect of Oxygen Impurity on Lattice Constants in GaN Crystals Grown on Point Seeds by the Na-flux method
复制标题
氧杂质对Na助熔法点晶种生长GaN晶体晶格常数的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Imanishi;S. Fukuda;K. Murakami;H. Imabayashi;D. Matsuo;M. Maruyama;M. Imade;M. Yoshimura;and Y. Mori
