N. Nishiyama,M.Arai,S.Shinada,T.Miyamoto,F.Koyama,and K.Iga: "1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311) B substrate with high characteristic temperature (T0=210K)"Jpn.J.Appl.Phys.,. 39・10B. L1046-L1047 (2000)
N. Nishiyama,M.Arai,S.Shinada,T.Miyamoto,F.Koyama,and K.Iga: "1.15μm lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311) B substrate with high characteristic temperature (T0=210K)"Jpn.J.Appl.Phys.,. 39・10B. L1046-L1047 (2000)
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N. Nishiyama、M.Arai、S.Shinada、T.Miyamoto、F.Koyama 和 K.Iga：“在具有高特征温度的 GaAs (311) B 衬底上进行高应变 GaInAs/GaAs 的 1.15μm 激光操作 (T0= 210K)“Jpn.J.Appl.Phys.,.39・10B.L1046-L1047 (2000)
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