Coercivity enlargement in (Ga,Mn)As thin films with small amount of MnAs nanoclusters
Coercivity enlargement in (Ga,Mn)As thin films with small amount of MnAs nanoclusters
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少量 MnAs 纳米团簇的 (Ga,Mn)As 薄膜矫顽力增大
DOI：
10.1016/j.jmmm.2006.10.934
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发表时间：
2007
影响因子：
2.7
通讯作者：
T. Dietl
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Sawicki;Kaiyou Wang;K. Edmonds;R. Campion;A. Rushforth;C. Foxon;B. Gallagher;T. Dietl
结果表明，在（Ga,Mn）As薄膜中存在少量纳米尺寸的MnAs簇，可以将矫顽力提高约100倍，而不会显著降低居里温度或饱和磁化强度。这种在保持高居里温度的同时控制矫顽力的方法，对于实现铁磁半导体器件可能是重要的。
It is shown that a presence of small amount of nanometer size MnAs clusters in (Ga,Mn)As thin films can enhance the coercivity by factors up to ∼100 without significantly degrading the Curie temperature or saturation magnetization. This approach to controlling the coercivity while maintaining high Curie temperature, may be important for realizing ferromagnetic semiconductor-based devices.