Characteristics of AlN growth on vicinal SiC(0001) substrates by molecular beam epitaxy

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分子束外延在邻位SiC(0001)衬底上生长AlN的特性

DOI:
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发表时间:
2003
期刊:
phys. stat. sol. (b) 240
影响因子:
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通讯作者:
J.Brault et al.
J.Brault et al.
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
J.Brault et al.

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