Low-Temperature Formation (～150℃) of Ge on Insulator through Layer-Exchange of Ge/Sn Stacked-Structures
Low-Temperature Formation (～150℃) of Ge on Insulator through Layer-Exchange of Ge/Sn Stacked-Structures
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通过Ge/Sn堆叠结构的层交换在绝缘体上低温（~150℃）形成Ge
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Sadoh.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Ooato;T. Suzuki;J. -H. Park;M. Miyao;T. Sadoh.
