不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性

不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性
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DOI：
10.1360/sspma2014-00367
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发表时间：
2015-01
期刊：
中国科学：物理学 力学 天文学
影响因子：
--
通讯作者：
郑新和
郑新和
中科院分区：
其他
文献类型：
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作者：
郑新和

文献摘要

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本文采用分子束外延(MBE)生长技术, 研究了周期厚度对高含N量1 eV GaNAs/InGaAs超晶格的结构品质的影响. 高分辨率X射线衍射(HRXRD)与透射电镜(TEM)分析表明:当周期厚度从6 nm (阱层和垒层厚度相同, 以下同)增加到20 nm时, 超晶格的周期重复性和界面品质变好, 然而当继续增加周期厚度至30 nm时, 超晶格品质劣化. 上述生长现象通过简单模型进行了分析讨论. 同时, 通过退火优化, 实现了周期厚度为20 nm的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池, 短路电流