Self-compensation in heavily Ge doped AlGaN: A comparison to Si doping
Self-compensation in heavily Ge doped AlGaN: A comparison to Si doping
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重度 Ge 掺杂 AlGaN 的自补偿：与 Si 掺杂的比较
DOI：
10.1063/5.0035957
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Klump, Andrew J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Washiyama, Shun;Mirrielees, Kelsey J.;Bagheri, Pegah;Baker, Jonathon N.;Kim, Ji-Hyun;Guo, Qiang;Kirste, Ronny;Guan, Yan;Breckenridge, M. Hayden;Klump, Andrew J.
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影响因子：
1.8
作者：
Fireman, Micha N.;L'Heureux, Guillaume;Speck, James S.
通讯作者：
Speck, James S.
影响因子：
3.2
作者：
S. Washiyama;P. Reddy;B. Sarkar;M. H. Breckenridge;Q. Guo;P. Bagheri;A. Klump;R. Kirste;J. Tweedie;S. Mita;Z. Sitar;R. Collazo
通讯作者：
S. Washiyama;P. Reddy;B. Sarkar;M. H. Breckenridge;Q. Guo;P. Bagheri;A. Klump;R. Kirste;J. Tweedie;S. Mita;Z. Sitar;R. Collazo
影响因子：
3.2
作者：
Kaess, Felix;Mita, Seiji;Sitar, Zlatko
通讯作者：
Sitar, Zlatko
重Ge掺杂AlGaN的电学和光学特性
DOI：
10.1088/1361-6463/aafec2
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
R. Blasco;A. Ajay;E. Robin;C. Bougerol;K. Lorentz;L. Alves;I. Mouton;L. Amichi;A. Grenier;E. Monroy
通讯作者：
E. Monroy
用于点缺陷衍生光电特性的信息学软件堆栈：沥青项目
影响因子：
1.9
作者：
J. Baker;P. Bowes;J. S. Harris;D. Irving
通讯作者：
D. Irving