Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性
Al_2O_3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネルn-MOSFETの電気特性
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使用Al_2O_3栅绝缘膜的InP/InGaAs沟道n-MOSFET的电特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古屋一仁
中科院分区：
文献类型：
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作者：
寺尾良輔;金澤徹;斎藤尚史;若林和也;池田俊介;宮本恭幸;古屋一仁
