T.Soga: "Initial growth mechanism for GaAs and AaP on Si substrate by MOCUD" Jpn.J.Appl.Phys. 30. 3471-3474 (1991)
T.Soga: "Initial growth mechanism for GaAs and AaP on Si substrate by MOCUD" Jpn.J.Appl.Phys. 30. 3471-3474 (1991)
复制标题
T.Soga：“通过 MOCUD 在 Si 衬底上进行 GaAs 和 AaP 的初始生长机制”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
