High Temperature Data Retention of Ferroelectric Memory on 130nm and 180nm CMOS
High Temperature Data Retention of Ferroelectric Memory on 130nm and 180nm CMOS
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130nm 和 180nm CMOS 上铁电存储器的高温数据保留
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Moise
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Rodriguez;C. Zhou;T. Graf;R. Bailey;Michael Wiegand;T. Wang;M. Ball;H. Wen;K. Udayakumar;S. Summerfelt;T. San;T. Moise
系统地研究了高温下铁电存储器（弗拉姆）的数据保持机制。该弗拉姆器件采用超低功耗、模拟增强型130 nm和180 nm CMOS技术。证明了弗拉姆通过260°C无铅焊料组件回流保持数据的能力。130 nm弗拉姆在125°C下的数据保持时间相当于10年，其固有裕度与180 nm弗拉姆相当，之前在125°C下的数据保持时间为10年。
Systematic evaluation of ferroelectric memory (FRAM) data retention mechanisms under high temperature exposure are reported. The FRAM devices are embedded on ultra-low power, analog-enhanced 130nm and 180nm CMOS technologies. Capability of the FRAM to retain data through 260°C Pb-free solder assembly reflow is demonstrated. The 130nm FRAM is shown to achieve the equivalent of 10 years data retention at 125°C, with intrinsic margin comparable to the 180nm FRAM, previously shown to achieve 10 years at 125°C retention.