Low-Temperature Formation of a-IGZO TFTs with ICP-Enhanced Reactivity-Controlled Sputter Deposition
Low-Temperature Formation of a-IGZO TFTs with ICP-Enhanced Reactivity-Controlled Sputter Deposition
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采用 ICP 增强反应性控制溅射沉积低温形成 a-IGZO TFT
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinori Ebe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuichi Setsuhara;Kosuke Takenaka;Keitaro Nakata;Giichiro Uchida;Akinori Ebe
