Electron mobility of Si nMOSFETs in a nonlinear model of surface roughness scattering at cryogenic temperature
Electron mobility of Si nMOSFETs in a nonlinear model of surface roughness scattering at cryogenic temperature
复制标题
低温表面粗糙度散射非线性模型中 Si nMOSFET 的电子迁移率
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sumita;M.-S. Kang;K. Toprasertpong;M. Takenaka;S. Takagi
