Depth dependence of defects in ion-implanted Si probed by a positron beam
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复制标题
正电子束探测离子注入硅中缺陷的深度依赖性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Akahane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Fujinami;T.Miyagoe;T.Sawada;R.Suzuki;T.Ohdaira;T.Akahane
