横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価
横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価
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横向液相外延制备的绝缘体上 GeSn 结构的带隙调制评估
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
4.冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shintaro Harada;and Hiroyuki Awano;4.冨永 幸平，松江 将博，細井 卓治，志村 考功，渡部 平司
