High-rate growth of microcrystalline silicon films using a high-density SiH4/H2 glow-discharge plasma
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DOI：
10.1016/j.tsf.2003.12.041
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发表时间：
2004-06
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
C. Niikura;N. Itagaki;M. Kondo;Y. Kawai;A. Matsuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Niikura;N. Itagaki;M. Kondo;Y. Kawai;A. Matsuda
