Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate
Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate
复制标题
注入高纯半绝缘 SiC 衬底中的 Al 和 P 原子的横向扩散
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Qimin Jin;Masashi Nakajima;Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto
