Cryogenic design of a 800 kJ HTS SMES
Cryogenic design of a 800 kJ HTS SMES
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800 kJ HTS SMES 的低温设计
DOI：
10.1088/1742-6596/43/1/199
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Bruzek
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Bellin;P. Tixador;M. Deléglise;J. Vallier;S. Pavard;C. Bruzek
在DGA （D?l?）gation G n ?rale pour l’armement)项目，我们设计了一个800 kJ的中小企业。导体由3或4 Bi-2212 PIT带制成，由法国耐克森公司进行绝缘和组装。工作温度为20k。介绍了中小企业的低温设计。热运行模型采用FLUX？，一个有限元模型（fem）软件。本文给出了热电阻和电阻的测量结果，以及在小型双煎饼线圈上的测试结果。
In the context of a DGA (D?l?gation G?n?rale pour l'Armement) project, we have designed a 800 kJ SMES. The conductor is made with 3 or 4 Bi-2212 PIT tapes insulated and assembled by Nexans France. The operating temperature is 20 K. The cryogenic design of the SMES is presented. The thermal operation model was calculated using FLUX?, a F.E.M. (Finite Element Model) software. We present the results of the measurements of thermal and electrical resistances and the results of the tests on a small-scale double pancake coil.