Modeling High-Current Effects in Bipolar Transistors: A Theory Review

Modeling High-Current Effects in Bipolar Transistors: A Theory Review
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双极晶体管中高电流效应的建模：理论回顾

DOI：
10.1109/bcicts.2018.8551078
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发表时间：
2018
期刊：
2018 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS)
影响因子：
--
通讯作者：
S. Falk
S. Falk
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
M. Schröter;S. Falk

文献摘要

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