Precise Growth Control for AlGaN/GaN Superlattices by MBE and MOCVD for Developing GaN-based THz Quantum Cascade Lasers
Precise Growth Control for AlGaN/GaN Superlattices by MBE and MOCVD for Developing GaN-based THz Quantum Cascade Lasers
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通过 MBE 和 MOCVD 对 AlGaN/GaN 超晶格进行精确生长控制，用于开发基于 GaN 的太赫兹量子级联激光器
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Toyoda and N. Kamata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Hirayama;W. Terashima;S. Toyoda and N. Kamata
