Low-energy SiC2H6+ and SiC3H9+ ion beam productions by the mass-selection of fragments produced form hexamethyldisilane for SiC film formations
Low-energy SiC2H6+ and SiC3H9+ ion beam productions by the mass-selection of fragments produced form hexamethyldisilane for SiC film formations
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通过对六甲基乙硅烷产生的碎片进行质量选择来生产低能 SiC2H6 和 SiC3H9 离子束，以形成 SiC 薄膜
DOI：
10.1063/1.4972206
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
M. Kiuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Yoshimura;S. Sugimoto;K. Murai;M. Kiuchi
