Atomically resolved carrier recombination at Si(111)-7 x 7 surfaces.
Atomically resolved carrier recombination at Si(111)-7 x 7 surfaces.
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Si(111)-7 x 7 表面的原子分辨载流子复合。
DOI：
10.1103/physrevlett.64.1051
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发表时间：
1990
影响因子：
8.6
通讯作者：
Markert
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hamers;Markert
研究了双电子-光激子在硅氧粒子表面的存在，利用l'aide ' d'un显微镜和效应隧道。中心的存在、重组的局部化、表面的还原和光致张力。两种默认的表面字体参数分别为：确定的四阶二维结构的重组，增强的二维结构的耦合中心，表面和块体的形状
Etude du potentiel local cree par la presence de paires electron-trou photoexcitees a la surface propre et partiellement oxydee du silicium, a l'aide d'un microscope a effet tunnel. La presence de centres de recombinaison localises a la surface cree une reduction dans la tension photogeneree. Tous les defauts de surface font croitre ce taux de recombinaison en determinant l'ordre bidimensionnel et en augmentant le couplage entre les etats de surface et massifs