Deuterium retention in Tungsten Oxyside under low-voltage D2+ plasma exposure
Deuterium retention in Tungsten Oxyside under low-voltage D2+ plasma exposure
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低电压 D2 等离子体暴露下氧化钨中的氘保留
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tokitani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Matsunami;N. Ohno;M. Tokitani
