Y.Narita, T.Inubushi, Kanji Yasui, T.Akahane: "Si c(4x4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane"Applied Surface Science. 212-213. 730-734 (2003)
Y.Narita, T.Inubushi, Kanji Yasui, T.Akahane: "Si c(4x4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane"Applied Surface Science. 212-213. 730-734 (2003)
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Y.Narita、T.Inubushi、Kanji Yasui、T.Akahane：“Si c(4x4) 结构出现在使用单甲基硅烷和二甲基硅烷在 Si(001) 上进行 3C-SiC 外延生长的初始阶段”应用表面科学。
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