Trapping of hydrogen in silicon near the surface resulting from simultaneous bombardment of argon and hydrogen ions
Trapping of hydrogen in silicon near the surface resulting from simultaneous bombardment of argon and hydrogen ions
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由于氩离子和氢离子的同时轰击，氢被捕获在靠近表面的硅中
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C.Thomas
中科院分区：
文献类型：
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作者：
焦爽(Jiao S);緒方直史;中原康雄;張雅素;津谷喜一郎;芳賀信彦;C.Thomas
