Theory of deep impurities in silicon-germanium alloys
Theory of deep impurities in silicon-germanium alloys
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硅锗合金深层杂质理论
DOI：
10.1103/physrevb.30.1929
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发表时间：
1984
影响因子：
3.7
通讯作者：
J. Dow
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. E. Newman;J. Dow
对合金中取代态缺陷的深能级计算表明，标准的浅掺杂As、P和等电子C缺陷可能成为深陷阱。
Calculations of the deep-energy levels of substitutional ${\mathrm{sp}}^{3}$-bonded defects in ${\mathrm{Si}}_{x} {\mathrm{Ge}}_{1\ensuremath{-}x}$ alloys suggest that the standard shallow dopants As and P and isoelectronic C defect may become deep traps for $x\ensuremath{\simeq}0.2$.