A single crystal beam bent in double slip
A single crystal beam bent in double slip
复制标题
双滑移弯曲的单晶梁
DOI：
10.1007/978-3-319-72440-9_11
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K.C. Le
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Cui;K.C. Le
提出了考虑连续分布超额位错的两种主动滑移系统单晶梁塑性弯曲理论。如果对位错运动的阻力小到可以忽略不计，那么多余的位错就会堆积在梁的中性线上，在侧向面附近留下两个没有位错的小层。得到了塑性屈服开始时的阈值、位错密度和弯矩曲率曲线。如果考虑能量耗散，塑性屈服开始时的多余位错占据两薄层，使得靠近中线的区域和靠近梁侧面的两层没有位错。位错形核时的阈值弯矩和硬化速率均高于零耗散时。
A theory of plastic bending of single crystal beam with two active slip systems accounting for continuously distributed excess dislocations is proposed. If the resistance to dislocation motion is negligibly small, then excess dislocations pile up against the beam’s neutral line, leaving two small layers near the lateral faces dislocation-free. The threshold value at the onset of plastic yielding, the dislocation density, as well as the moment-curvature curve are found. If the energy dissipation is taken into account, excess dislocations at the beginning of plastic yielding occupy two thin layers, leaving the zone near the middle line as well as two layers near the beam’s lateral faces dislocation-free. The threshold bending moment at the dislocation nucleation and the hardening rate are higher than those in the case of zero dissipation.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1007/978-3-540-88469-9
发表时间：
2009-11
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
V. Berdichevsky
通讯作者：
V. Berdichevsky
多边形化作为低能位错结构
影响因子：
2.6
作者：
K. Le;Q. Nguyen
通讯作者：
Q. Nguyen
DOI：
10.1016/0001-6160(57)90134-7
发表时间：
1957
期刊：
Acta Metallurgica
影响因子：
--
作者：
W. Read
通讯作者：
W. Read
DOI：
10.1016/0001-6160(58)90088-9
发表时间：
1958
期刊：
Acta Metallurgica
影响因子：
--
作者：
B. Bilby;L. Gardner;E. Smith
通讯作者：
E. Smith
影响因子：
9.8
作者：
K. Le;B. D. Nguyen
通讯作者：
K. Le;B. D. Nguyen