Optical static random access memory cell using an integrated semiconductor ring laser
Optical static random access memory cell using an integrated semiconductor ring laser
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使用集成半导体环形激光器的光学静态随机存取存储器单元
DOI：
10.1109/ps.2009.5307766
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Sorel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bei Li;M. I. Memon;Zhuoran Wang;Siyuan Yu;G. Mezősi;M. Sorel
本文提出并论证了一种全光静态随机存取存储器(SRAM)单元，该单元采用双稳态半导体环形激光器置位-复位触发器，每个输出端集成四个SOA。实现了1 Gb/S的读写操作，消光比≫为10dB。
This paper proposes and demonstrates an all-optical static random access memory (SRAM) cell using a bistable semiconductor ring laser set-reset flip-flop integrated with four SOAs at each output. Read and write operation at 1Gb/s are achieved with extinction ration ≫10dB.