パターン転写のマスク用の直径10nm超高密度のSiナノドット列の形成
パターン転写のマスク用の直径10nm超高密度のSiナノドット列の形成
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用于图案转移掩模的直径为10 nm的超高密度硅纳米点阵列的形成
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Huda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miftakhul Huda;Sumio Hosaka;Hiroshi Sakurai;M. Huda;M. Huda;M. Huda
