Development of low bandgap n-type semiconductors based on a vinylene-bridged difluorobenzothiadiazole
Development of low bandgap n-type semiconductors based on a vinylene-bridged difluorobenzothiadiazole
复制标题
基于亚乙烯基桥联二氟苯并噻二唑的低带隙n型半导体的开发
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
西原康師
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
長谷川菜生;森裕樹;西原康師
