Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
复制标题
4H-SiC 外延层中氧化引起的堆垛层错的光致发光研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Yaguchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Miyano;S. Yagi;Y. Hijikata;H. Yaguchi
