Detecting Temporal Correlation on HfO 2 Based RRAM on 65nm CMOS Technology
Detecting Temporal Correlation on HfO 2 Based RRAM on 65nm CMOS Technology
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采用 65nm CMOS 技术检测基于 HfO 2 的 RRAM 的时间相关性
DOI：
10.1109/mdts54894.2022.9826965
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Cady, Nathaniel C.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rafiq, Sarah;Abedin, Minhaz;Beckmann, Karsten;Cady, Nathaniel C.
