Kanji YASUI: "Heteroepitaxy of 3C-SiC using triode plasma enhanced chemical vapor deposition on Si substrates without buffer layer." Applied Surface Science(in press). (1999)
Kanji YASUI: "Heteroepitaxy of 3C-SiC using triode plasma enhanced chemical vapor deposition on Si substrates without buffer layer." Applied Surface Science(in press). (1999)
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Kanji YASUI：“使用三极管等离子体增强化学气相沉积在没有缓冲层的硅基板上进行 3C-SiC 异质外延。”
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