HfO2絶縁膜を用いたMoS2 FETにおける実効移動度の評価
HfO2絶縁膜を用いたMoS2 FETにおける実効移動度の評価
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使用 HfO2 绝缘膜评估 MoS2 FET 的有效迁移率
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安藤淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
二之宮成樹，森貴洋;内田紀行;久保利隆;渡辺英一郎;津谷大樹;森山悟士;田中正俊;安藤淳
